- Модель продукта NXH50C120L2C2ESG
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
- Классификация БТИЗ-модули
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
- Тип монтажа Through Hole
- Вход Three Phase Bridge Rectifier
- Конфигурация Three Phase Inverter with Brake
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
- НТЦ-термистор Yes
- Пакет устройств поставщика 26-DIP
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Мощность - Макс. 20 mW
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 250 µA
- Входная емкость (Cies) при Vce 11.897 nF @ 20 V
Сопутствующие товары
IGBT MODULE LOW POWER EASY
Инвентаризация: 8
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Инвентаризация: 4
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Инвентаризация: 0
IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Инвентаризация: 0
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Инвентаризация: 0
IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Инвентаризация: 0
Q1PACK 50A 650V
Инвентаризация: 21
