- Модель продукта GT30J341,Q
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание IGBT 600V 59A TO3P
- Классификация Одиночные IGBT
-
PDF
Инвентаризация:1606
Технические детали
- Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 175°C (TJ)
- Тип ввода Standard
- Время обратного восстановления (trr) 50 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
- Пакет устройств поставщика TO-3P(N)
- Td (вкл/выкл) при 25°C 80ns/280ns
- Переключение энергии 800µJ (on), 600µJ (off)
- Условия испытания 300V, 30A, 24Ohm, 15V
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 59 A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 V
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 120 A
- Мощность - Макс. 230 W