- Модель продукта GT40WR21,Q
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание IGBT 1350V 40A TO3P
- Классификация Одиночные IGBT
-
PDF
Инвентаризация:1542
Технические детали
- Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 175°C (TJ)
- Тип ввода Standard
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 5.9V @ 15V, 40A
- Пакет устройств поставщика TO-3P(N)
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 40 A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1350 V
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 80 A
- Мощность - Макс. 375 W