Технические детали

• Пакет/кейс 4-DIP Module
• Тип выхода Phototransistor
• Расстояние срабатывания 0.315" (8mm)
• Метод измерения Reflective
• Тип монтажа Through Hole
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 20 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 V
• Ток - постоянный ток вперед (если) (макс.) 50 mA