- Модель продукта STGSB200M65DF2AG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS 1
- Описание DISCRETE
- Классификация Одиночные IGBT
-
PDF
Инвентаризация:1650
Технические детали
- Пакет/кейс 9-PowerSMD
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип ввода Standard
- Время обратного восстановления (trr) 174.5 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 200A
- Пакет устройств поставщика 9-ACEPACK SMIT
- Тип БТИЗ Trench Field Stop
- Td (вкл/выкл) при 25°C 122ns/250ns
- Переключение энергии 3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
- Условия испытания 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
- Заряд от ворот 554 nC
- Оценка Automotive
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 216 A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 V
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 700 A
- Мощность - Макс. 714 W
- Квалификация AEC-Q101