Технические детали

• Пакет/кейс 4-DIP Module
• Расстояние срабатывания 0.106" (2.7mm)
• Метод измерения Through-Beam
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -25°C ~ 85°C
• Конфигурация выхода Phototransistor
• Время отклика 15µs, 15µs
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 10 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 V
• Ток - постоянный ток вперед (если) (макс.) 50 mA