Технические детали

• Пакет/кейс Slotted Module, 4-Lead Dual Row
• Расстояние срабатывания 3.1mm
• Метод измерения Through-Beam
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 85°C
• Конфигурация выхода Phototransistor
• Время отклика 10µs, 8µs
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 µA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 70 V
• Ток - постоянный ток вперед (если) (макс.) 60 mA