Технические детали

• Пакет/кейс 4-DIP (0.100", 2.54mm)
• Тип выхода Phototransistor
• Расстояние срабатывания 0.236" (6mm)
• Метод измерения Reflective
• Тип монтажа Through Hole
• Время отклика 15µs, 15µs
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 20 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 V
• Ток - постоянный ток вперед (если) (макс.) 50 mA