Технические детали

• Пакет/кейс 4-DIP (0.157", 4.00mm)
• Тип выхода Phototransistor
• Расстояние срабатывания 0.039" (1mm)
• Метод измерения Reflective
• Тип монтажа Through Hole
• Время отклика 20µs, 20µs
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 V
• Ток - постоянный ток вперед (если) (макс.) 50 mA