Технические детали

• Пакет/кейс Slotted Module, 4-Lead Dual Row
• Расстояние срабатывания 0.900" (22.86mm)
• Метод измерения Through-Beam
• Тип монтажа Chassis Mount
• Рабочая Температура -40°C ~ 80°C
• Конфигурация выхода Phototransistor
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 V
• Ток - постоянный ток вперед (если) (макс.) 50 mA