Технические детали

• Диэлектрический материал CMOS
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 105°C
• Диаметр - Внутренний 1.8V ~ 2.8V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 3.75µm x 3.75µm
• Размер плунжера 1280H x 960V
• 45.0