Технические детали

• Тип монтажа Module
• Диэлектрический материал CMOS with Processor
• Диаметр - Внутренний 3.3V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 6µm x 6µm
• Размер плунжера 656H x 492V
• Максимальное переменное напряжение Module
• 60.0