Технические детали

• Тип монтажа Module
• Диэлектрический материал CMOS with Processor
• Диаметр - Внутренний 3.3V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 3µm x 3µm
• Размер плунжера 1280H x 800V
• Максимальное переменное напряжение Module
• 30.0