Технические детали

• Диэлектрический материал CMOS with Processor
• Диаметр - Внутренний 1.8V, 3.3V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 4.5µm x 4.5µm
• Размер плунжера 1280H x 720V
• 60.0