Технические детали

• Диэлектрический материал CMOS with Processor
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TJ)
• Диаметр - Внутренний 1.8V ~ 3.3V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 4.8µm x 4.8µm
• Размер плунжера 2592H x 2048V
• 100.0