Технические детали

• Диэлектрический материал CMOS
• Крутящий момент - Винт -30°C ~ 70°C
• Диаметр - Внутренний 1.8 ~ 3.3V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 5.5µm x 5.5µm
• Размер плунжера 2048H x 2048V
• Максимальное переменное напряжение 95-MicroPGA
• 180.0