Технические детали

• Диэлектрический материал CMOS with Processor
• Крутящий момент - Винт -30°C ~ 85°C (TJ)
• Диаметр - Внутренний 1.1V ~ 1.3V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 2µm x 2µm
• Размер плунжера 2688H x 1520V
• 90.0