Технические детали

• Диэлектрический материал CMOS with Processor
• Крутящий момент - Винт -30°C ~ 70°C (TJ)
• Диаметр - Внутренний 1.425V ~ 1.575V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 4.2µm x 4.2µm
• Размер плунжера 656H x 488V
• 30.0